點序科技將攜全系列產品線亮相CFMS2019,致力存儲產業發展


隨著5G商用、物聯網、車聯網時代即將來臨,必將伴隨著數據爆發式增長,根據IDC統計,從2012年至今,每年數據總量年成長率均在50%左右,據英特爾預測,全球數據總量在2020年將達到44ZB。海量的數據需求推動存儲設備朝著大容量、高密度、高速度的方向發展。

閃存、主控協調發展,共同推動存儲設備向高容量、高密度、高速度方向發展

自2019下半年以來,全球原廠已經紛紛量產96層3D NAND,並不斷擴大其生產比例,然而重技術的存儲業者並不會因取得階段性的進展而有些許懈怠。從2019年3月份起,東芝/西部數據、SK海力士、三星等原廠相繼宣布成功研發堆疊高度達100+層3D TLC閃存芯片,推動單顆閃存芯片容量朝著512Gb、1Tb方向發展。

除了在存儲容量上不斷擴展之外,也積極探索存儲密度的提高,三星、英特爾、東芝等國際大廠自去年開始就相繼推出QLC系列產品,其存儲密度是TLC的2倍,同時大幅降低了每bit的成本,但是由於TLC和QLC結構的限制,TLC和QLC在性能和壽命上存在一些問題,這就需要通過算法和主控優化彌補這方面的缺陷。例如,TLC產品中,通過主控和算法優化,P/E壽命由不到1000次提升到1000到2000次,同時TLC SSD性能及可靠性方面得到大大改善。

點序科技攜旗下全系列主控解決方案亮相2019中國閃存市場峰會

因此,隨著閃存芯片的發展,主控芯片作為指揮、運算和協調存儲設備的部件,其作用也是愈加重要。點序科技作為主控芯片廠商中的一員,已經深耕主控芯片市場11年,旗下產品覆蓋SSD、eMMC、SD、UFD主控解決方案。

將首次展出PCIe Gen3x4 SSD主控芯片:AS2263

在即將召開的2019中國閃存市場峰會(CFMS2019)中,點序科技會首次展出旗下最新款SSD主控芯片AS2263,支持PCIe Gen3x4,NVMe 1.3規範,超高循序讀寫速度分別為2500MB/s和1800MB/s,采用四通道設計,以及支持LDPC硬解碼和軟解碼技術,高支持度與高性價比的特點,為客戶帶來更高的產品競爭力。

旗下AS2258 SSD主控芯片支持各原廠最新閃存顆粒

另外,點序旗下另一款SSD主控芯片AS2258已經獲得SpecTek官方認證,能夠支持美光96層3D NAND技術、M16、N18、Samsung V4、SK Hynix V5&V6、SanDisk/Toshiba BiCS4等新世代3D NAND Flash。除了支援3D NAND外,也已開始提供即時且具穩定性的FW來配合模組廠SSD新品快速上市。

在速度方面,AS2258 擁有接近SATA 6Gbps臨界值的讀寫速度,以及高速4K-IOPS表現。在專業SSD評測軟體AS SSD Benchmark 和Crystal Disk Mark Benchmark 評測下,讀寫速度分別高達550MB/s和500MB/s。

在嵌入式存儲方面,點序科技推出主打的eMMC 5.1主控芯片,型號為AS2726。可支持3D TLC Flash,滿足嵌入式存儲應用的高穩定度需求,廣泛應用於電視盒子、平板、投影儀、智能機器人以及行車記錄儀等消費性電子終端產品。

在SD卡產品線方面,點序將在第三季度推出全新主控芯片AS2705EN,搭載新一代的錯誤修正引擎(Advanced ECC Engine),搭配動態全區平均損耗算法技術,同時支持更大區塊的管理與更高的卡片容量(512GB以上),且支持次世代的 3D NAND QLC架構,藉由優化的4KB小檔案管理,其隨機讀寫效能更可達到A2 Class等級的4,000/2,000 IOPS 以上水平,同時也支持低電壓訊號(LVS)、功能命令隊列(Command Queue)等功能,從而提供高效能、高可靠性及長壽命的SD卡主控芯片解決方案。

此外,點序科技表示,將與旗下U盤主控廠商銀燦科技協助客戶將Vccq 3.3V/1.8V & 1.2V各種類Flash規劃於相同PCB板,降低制造商的PCB版本控管難度與庫存壓力。技術方面,支援新世代TLC Flash B27 & QLC Flash N18,協助兩岸存儲客人消化Flash顆粒,且可用率超越其他主控芯片品牌。此外,銀燦科技即將推出新世代主控芯片,支援Advanced ECC Engine,強化糾錯能力,增長Flash壽命。

9月19日CFMS2019匯聚存儲產業鏈精英企業,更多驚喜,敬請期待!


在即將召開的中國閃存市場峰會上,齊聚存儲產業鏈上下遊精英企業,產業領袖將就產業發展發表精彩演講,共同討論產業現狀,未來機遇與挑戰,同時,參展企業也將有眾多新品參展交流。更多詳情,長按圖片識別二維碼或點擊左下角“閱讀原文”,進入CFMS2019專題。