點序科技為新世代閃存量身定制最新SD6.1工業級寬溫SD 控制芯片解決方案AS2707EN-DI：
點序集團（以下簡稱：ASolid）因應市場主流需求，於2020年9月推出PCIe SSD控制芯片–AS2263。ASolid AS2263采用PCIe Gen3 x4接口、符合NVMe 1.3規範，采用四通道設計能夠達到連續讀寫2500MB/s、1800MB/s以上的高速效能，優異的速度以及穩定的效能提升，帶給消費者絕佳的使用者體驗，以提供高效能需求的客戶更好的選擇。
ASolid AS2263主控芯片支持最新制程3D NAND Flash，容量最高可至2TB。AS2263支持LDPC糾錯技術，並配有可靠穩定的RAID磁盤陣列功能，讓存儲設備在高速傳輸之下，同時能夠確保數據的穩定與安全。研發團隊致力於提供良率與穩定兼具的FW，加上工程團隊實時的服務，能夠滿足客戶需求，在最快時間內穩定量產。
ASolid將持續專注研發高效能與高支持度的 SSD 控制芯片應用方案，且涵蓋各階層應用市場的布局策略，為客戶提供最佳選擇。
AS2263的主要功能包括：
點序科技 AS2258 SATA SSD主控芯片內建SDRAM，采用雙通道設計，經過點序科技 SSD技術團隊的研發，連續讀寫達雙500MB/s的高速效能。此外，AS2258搭配先進的 LDPC ECC +RAID功能，讓存儲設備在高速傳輸之下，同時能夠確保數據的穩定與安全，為客戶提供高性能、高可靠度的優質解決方案。
點序科技SSD技術團隊不斷研發與精進，開發固件以支持原廠最新制程NAND Flash。其中最受市場關注的NAND有Samsung V5 512Gb、SK hynix V6 1Tb以及Micron N28A 1Tb，皆搭配AS2258主控芯片的組合創造超高跑分的優異表現。
圖1. AS2258 + Samsung V5 512Gb/ SK Hynix V6 1Tb/ Micron N28A 1Tb組合跑分
AS2258主控芯片擁有接近SATA 6Gbps臨界值的讀寫速度，提供連續讀寫取速度高達550MB/s、500MB/s，其效能較一般固態硬盤速度更快，效能也更加穩定。
PCIe SSD主控芯片 即將登場
因應市場主流需求，點序科技即將推出PCIe SSD主控芯片– AS2263。AS2263 支持PCIe Gen3 x4 端口，符合NVMe 1.3規範，支持LDPC糾錯技術，容量最高可支持至2TB。AS2263采用四通道設計，連續讀寫速度高達2500MB/s和1800MB/s。
AS2263即將於市場亮相，期待為客戶帶來更高性價比的PCIe-SSD解決方案。
緊追3D閃存技術發展，洞悉市場動態，點序集團宣布推出全新U盤主控-IS918M，通過國際Flash原廠3D NAND規格對接測試，支持USB3.2高速連接規範，可向下兼容USB2.0接口，滿足應用設計者在短時間內傳輸大容量數據及文件的需求。
圖1. 點序集團提供低格分檢工具(One Pass Sorting Tool)
IS918M-GA主控芯片可支持鎧俠/東芝(Kioxia/ Toshiba)、西部數據/閃迪 (WD/Sandisk) 、英特爾(Intel)、美光(Micron)、SK 海力士(SK Hynix)、與三星(Samsung)等大廠最新世代的3D閃存。
點序集團提供低格分檢工具(One Pass Sorting Tool)，大幅提升IS918M支持的廣度，並節省客戶分檢測試時間，根據閃存的品質一次性區分出適合SSD、USB3.2或USB2.0各種不同應用的容量類別，以提升閃存的使用效率。點序集團低格分檢工具已獲各大測試廠采用，供客戶驗證或大量自行低格使用。
點序集團新一代U盤主控IS918-GA導入閃存轉換層(Flash Translation Layer)固件演算法，以先進的閃存對應算法與平均擦寫存儲區塊(Wear Leveling)，克服閃存中每個區塊讀寫擦除次數的限制，降低擦除時的耗損，進而延長閃存的使用壽命，更提升使用效率。
圖2.IS918M-GA + Micron B37R 跑分
點序集團通過優化固件演算法，有效利用閃存空間，對於3D TLC、QLC的性能，均有明顯提升。
IS918M-GA搭配美光3D TLC閃存B37R，讀寫速度優於業界水平。CDM測試連續讀寫速度分別為108.5MB/s及41.65MB/s，4K寫入速度更高達1.45MB/s。
點序科技擁有優秀的軟件及固件技術，自2008年成立以來，迅速拓展閃存主控芯片市場的世界版圖，歷經12年淬煉，目前已有多項產品達穩定量產階段，包含SD、SSD、eMMC及UFD。
2019年底，點序科技推出高效能AS2705EN SD6.1控制芯片，據悉，AS2705EN SD控制芯片搭載新一代的錯誤修正引擎(AECC)，搭配動態全區平均損耗算法技術(Dynamic wear leveling)，同時支持更大區塊管理與更高卡片容量（512GB以上），且支持3D QLC NAND，並通過優化的4KB小檔案管理，其隨機讀寫性能可達到A2 Class等級的4,000/2,000 IOPS 以上水平，同時還支持低電壓訊號(LVS)、功能命令隊列(Command Queue) 等功能，從而提供高效能、高可靠性及長壽命的SD6.1控制芯片解決方案。
除了擁有更精準更高效的糾錯技術以外，AS2705EN SD控制芯片還延續了AS2703ENLT系列控制芯片的效能 , 能夠滿足一般數據U1/U3的讀寫需求，並支持SDA協會所制訂高畫質4K影片錄制時所需的V30規格，性能爆發，加大滿足對智能手機使用所制定的A2規格等不同領域的應用，同時增加了更先進的DDR200 效能應用，傳輸速度超過160MB/S以上。
點序科技長期與各大NAND Flash廠商緊密合作，AS2705EN SD控制芯片已經可以支持最新96層& 128層 1.2V / 1.8 VCCQ , 2.5V / 3.3 VCC 3D NAND，而國內新興的長江存儲所生產的3D NAND，點序集團的SD卡控制芯片亦可支持，為客戶提供全方面的閃存解決方案。
隨著半導體技術進步，3D NAND的制程良率與產能提升，帶起了大容量高穩定的固態硬盤的發展，其中各家主控芯片的競爭關鍵在於固態硬盤控制芯片的可靠度以及閃存芯片支持速度。
點序科技自2008年成立以來，專注控制芯片研發，可提供包括SSD、eMMC、UFD以及SD的四大閃存主控方案。旗下的AS2258主控芯片通過技術團隊不斷地研發與創新，已可支持市場上最新3D TLC閃存芯片。
在專業 SSD 評測軟件 AS SSD Benchmark和CrystalDiskMark Benchmark評測下，均表現出色，讀寫速度分別高達 550MB/s和500MB/s。
圖為AS2258 控制芯片搭配三星256Gb V4閃存芯片
圖為AS2258 控制芯片搭配西部數據256Gb BiCS4閃存芯片
除了連續的隨機讀寫速度，4K隨機讀寫對於小型檔案的處理速度，是作為系統盤相當重要指標。點序科技提供的鎧俠/西部數據BiCS4與三星V4解決方案皆已於客戶端進行量產出貨。
PCIe SSD控制芯片，即將登場
點序科技針對主流市場需求推出的PCIe SSD 控制芯片 AS2263，支持PCIe Gen3x4 NVMe 1.3介面，支持至2TB 容量。超高循序讀寫速度分別為2500MB/s和1800MB/s，采用四通道設計，以及支持LDPC糾錯技術，即將於市場亮相，為客戶帶來更高的產品競爭力。
在閃存容量劇烈增長的趨勢下，越來越多的使用者看重高效能與大容量的存儲產品。固態硬盤目前主流落在240G以上， 隨著96層與QLC技術的普及帶動容量提升，市場的整體價格必然持續下調。
