北京中國存儲與數據峰會方案,點序集團與您一同聚焦閃存市場的趨勢應用

2019年北京中國存儲與數據峰會方案自12月03日起盛大展開,二日的精彩論壇包括多場特色主題,聚焦閃存存儲、智能網絡、固態硬盤、雲存儲應用等等,吸引閃存業界人士前來參與此次北京盛事。

點序集團 (ASolid)擁有完整閃存控制芯片的解決方案

秉持十一年來的豐富產業經驗,點序集團 (以下簡稱:ASolid),全球知名閃存控制芯片供貨商,以「2020消費性SSD的趨勢與挑戰」為題的演講,受邀參與峰會為業界帶來最新的閃存芯片與固態硬盤市場狀況分享。

ASolid以多年累計的主控技術實力,締造全球 SD 記憶卡裝置控制芯片銷售冠軍的紀錄,在閃存芯片儲存裝置主控市場占有一席之地。
點序集團旗下的公司在各自的領域皆有多年技術耕耘,更是少數擁有完整閃存控制芯片的解決方案商之一。 ASolid秉持一心,專注於技術,提供四大閃存主控方案,包括SSD、eMMC、UFD以及SD。一站式服務讓客戶放心倚賴ASolid提供對應的解決方案。

峰會現場展出點序集團的四大主控芯片與客戶成品

PCIe SSD控制芯片,即將登場
ASolid針對主流市場需求推出的PCIe SSD 控制芯片 AS2263,支持PCIe Gen3x4,NVMe 1.3接口,支持至2TB 容量。超高循序讀寫速度分別為2500MB/s和1800MB/s,采用四通道設計,以及支持LDPC硬譯碼和軟譯碼技術,即將於市場亮相,為客戶帶來更高的產品競爭力。

為個人用戶、消費性市場量身打造的SSD 控制芯片
大容量的固態硬盤主要關鍵在於閃存芯片制程。隨著半導體技術進步,3DNAND的制程良率與產能提升,帶起了大容量高穩定的固態硬盤,其中各家芯片控制商競爭的關鍵在於固態硬盤控制芯片的可靠度以及閃存芯片支持速度。ASolid從2008以來積累的控制芯片研發經驗,能及時對應最新制程的閃存芯片,掌握時效性提供解決方案,滿足廣大固態硬盤消費性市場。

點序集團 (ASolid)支持市面主流 SSD版型

ASolid固態硬盤主控芯片AS2258經過嚴格跨驗,技術團隊不斷地研發與創新,已可支持市場上最新3D TLC閃存芯片。
在專業 SSD 評測軟件 AS SSD Benchmark和CrystalDiskMarkBenchmark 評測下,均表現出色,讀寫速度分別高達 550MB/s和500MB/s。

圖為AS2258 控制芯片搭配西部數據256Gb BiCS4閃存芯片

除了連續的隨機讀寫速度,4K隨機讀寫對於小型檔案的處理速度, 是作為系統碟相當重要的指針。 ASolid提供的東芝/西部數據BiCS4與三星V4解決方案皆已於客戶端進行量產出貨。
以控制芯片起家的ASolid,深耕產業多年,洞悉OEM及品牌商需求。透過深厚的研發技術、完整的測試流程及具價格競爭優勢的元件清單等優勢,提供客戶穩定的品質,進而成為長期信賴的合作夥伴。在未來數據經濟時代的發展潛力不容小覷,後勢可期。

ASolid 點序科技 SSD 主控 AS2258 + BiCS4 榮獲 PCM 2019 BEST VALUE !

2.5” SSD 是很成熟的產品,也是 DIY 用家最喜愛的升級方案。易於安裝、每 GB 售價較 NVMe 方案便宜是其特點所在,所以時至今天,仍然有廠商不斷開發新的主控晶片。這次介紹 ASolid 點序科技支持最新 Sandisk BiCS4 NAND Flash 的 SSD SATA 主控晶片 AS2258 ,筆者也第一時間借來樣品評測。

關於 ASolid 點序科技

對於 ASolid 點序科技,大家也許會感到陌生。根據網頁資料, ASolid 點序科技成立於 2008 年 2 月,總部位於台灣新竹,在深圳及美國矽谷皆有分公司。公司業務主要以 SD 主控、 eMMC 主控及 USB 主控為主。集團資料顯示,其 SD 主控市場佔有率為全球第一。在 2017 年 6 年底,集團決定進軍 SSD 主控市場,推出 SSD SATA 6Gbps 主控 AS2258 ,並計劃於今年第四季推出 SSD PCIe 主控 AS2263 。

高性價比 SSD 主控—— AS2258

AS2258 SSD 主控晶片

延續 ASolid 產品定位主流市場的傳統, AS2258 定位於高效能且低成本的 SSD SATA 主控晶片,為此 AS2258 採用市場上少見的 2 Channel 設計。儘管如此,廠商通過內建 SDRAM 的做法,大大提升其性能,廠商表示 AS2258 最大讀寫性能分別達到 550MB/s 及 500MB/s ,此外主控內建 SDRAM 可大幅提升 Random Access 性能,即擁有較高的讀寫檔案性能。

AS2258 主控架構圖

SSD 主控 AS2258 市場定位

AS2258 市場定位強調高性能、低成本的高性價比 (C/P) 產品。 AS2258 毋須掛 DRAM 即可達到接近帶 DRAM 主控的性能。
以下圖例來看, AS2258 在讀寫性能不遜 SM2258H ;在生產成本方面, AS2258 可與 SM2258XT 競爭匹配。

AS2258 可同時支援 1.2V 與 1.8V NAND Flash

AS2258 可支持各廠的 NAND Flash,從 2D/3D 的 NAND Flash , SLC/MLC/TLC/QLC 版本皆可有效支持。目前 AS2258 已可支援 Sandisk/Kioxia (前身 Toshiba )最新的 BiCS4 高性能 NAND Flash 。
因應市場上有 1.8V 及 1.2V 不同 I/O 電壓的 NAND Flash , AS2258 通通可以支援。點序科技 SSD 主控 AS2258 支持度遍及各地。自 2017 年問世至今,點序科技 SSD 主控 AS2258 已被多家客戶採用,據廠方表示,目前有採用 AS2258 主控的 SSD 產品遍佈台灣、中國、韓國、南美洲、日本等地。其中七彩虹 (Colorful) 、 HIKVISION 、 Team Group 及 Super Talent 更為港人所熟識。

CrystalDiskMark 在兩項 4K 讀寫性能均在 300MB/s 以上,內建 SDRAM 功不可沒。

AS2258 + 256GB SanDisk BiSC4 工程樣品測試成績︰

AS SSD Benchmark 得分達 1,440 分,十分不俗。

作為參考平台, CrystalDiskMark 測試在最大讀寫性能可以,但在 4K 讀取部分較弱。

因為 4K 性能較弱,在 AS SSD Benchmark 總分只有 743 分。

測試平台

CPU︰Intel Core i7-8700K (6C/12T, 3.7GHz Base, 4.7GHz Turbo)
AIO 水冷︰ROG RYUJIN 360
主機板︰ASUS ROG Maximus XI Formula Intel Z370
記憶體︰2x Corsair CMK16GX4M1A2666 C16 @XMP
顯示卡︰ASRock Radeon RX 5700 XT Taichi X 8G OC+
火牛︰Antec HCP Platinum 850W
作業系統︰Microsoft Windows 10 Pro x64 1903
驅動程式︰Adrenalin 2019 Edition 19.10.1 (WHQL)

是次測試用的 AS2258 256GB BiSC4 工程樣品

Conclusion

PCM Rating: 4.5/5
與 WD Green 240GB ( SM2258XT 主控)比較,送測的 AS2258 + 256GB SanDisk BiCS4 工程樣品由於內建 SDRAM 的關係,在《CrystalDiskMark 》的 4KiB 寫入性能幾乎是前者的 2 倍,在《 AS SSD Benchmark 》總分達到 1,440 分,也相當於前者的 2 倍,表現出色。

SPEC︰

支援介面︰SATA I/II/III 1.5Gbps, 3Gbps 與 6Gbps 介面
支援閃存︰2D/3D SLC/MLC/TLC/QLC 1.2V或1.8V I/O
支援通道︰2Ch, 8CE
製程︰40nm
最高讀寫性能︰550MB/s 及 500MB/s
最高 IOPS 讀寫性能︰95K 及 85K
其他︰LDPC RAID, ONFI 3.0, Toggle 2.0
查詢︰ASolid 點序科技

CFMS2019會後報導|點序科技:一站式服務與多元化產品,滿足儲存裝置控制芯片需求

在9月19日舉行的中國閃存市場峰會(CFMS2019)期間,點序科技作為全方位閃存控制芯片領導廠商,攜旗下全系列主控解決方案亮相。

點序相信,在閃存、主控協調發展的環境下,存儲市場潛力不容小覷。點序科技已經深耕主控芯片市場11年,旗下產品覆蓋SSD、eMMC、SD以及UFD的主控解決方案。這也意味著點序能以完整的產品版圖,滿足客戶對於消費級儲存裝置控制芯片的需求,因此吸引許多尋求一站式服務與多元化產品的客戶前來一探究竟。

峰會當天首次展出旗下首顆SSD PCIe主控芯片AS2263,支持PCIe Gen3x4,NVMe 1.3規範,順序讀寫速度分別高達2500MB/s和1800MB/s,采用四通道設計,支持LDPC硬解碼和軟解碼技術,高支持度與高性價比的特點獲得熱烈關注。另一款SATA SSD主控芯片AS2258已可支持美光B27B與M16、英特爾N18、三星V4、海力士V5,以及東芝/西部數據BiCS4等最新世代3D 閃存芯片,點序提供即時且具穩定性的固件來配合模組廠SSD新品快速上市。


圖1.SSD PCIe主控芯片AS2263

圖2.投影儀內ASolid eMMC5.1主控芯片AS2726

嵌入式存儲方面,點序科技主打的eMMC 5.1主控芯片—AS2726,除了可支持3D TLC Flash同時滿足嵌入式存儲應用的高穩定度需求。現場除了展示於投影儀的操作效果外,也廣泛應用於電視盒子、平板、智能機器人以及行車記錄儀等消費性電子終端產品。

而市占率第一的SD卡產品線為全新主控芯片AS2705EN,搭載新一代的錯誤修正引擎AECC(Advanced ECCEngine),搭配動態全區平均損耗算法技術,並藉由優化的4KB小檔案管理讓隨機讀寫效能更可達到A2 Class等級的4,000/2,000 IOPS 以上水平,高效能、高可靠性及長壽命的SD卡主控芯片解決方案。

圖3.搭配點序主控量產的MicroSD卡片成品

今年點序科技與旗下U盤主控廠商銀燦科技已針對制造商的PCB版本控管難度與庫存壓力提出解決方法。技術方面則支持新世代TLC FlashB27 & QLC Flash N18,協助兩岸存儲客人消化Flash顆粒,且可用率超越其他主控芯片品牌。此外,銀燦科技即將推出新世代主控芯片,支持Advanced ECCEngine,強化糾錯能力,增長Flash壽命,實力不容小覷。

圖4. ASolid U盤主控IS918M PCBA

在本次峰會CFMS2019上,點序科技攜旗下全產品線,以全方位閃存控制芯片領導廠商讓客戶擁有完整產品服務及完善解決方案,不斷研發創新的精神除了建立消費級市場的口碑,點序科技也期許能在企業級市場提供完善的專業服務。

CFMS2019—點序科技敬邀您相會2019.09.19

隨著5G商用、物聯網、車聯網時代即將來臨,必將伴隨著數據爆發式增長,根據IDC統計,從2012年至今,每年數據總量年成長率均在50%左右,據英特爾預測,全球數據總量在2020年將達到44ZB。海量的數據需求推動存儲設備朝著大容量、高密度、高速度的方向發展。

閃存、主控協調發展,共同推動存儲設備向高容量、高密度、高速度方向發展

自2019下半年以來,全球原廠已經紛紛量產96層3D NAND,並不斷擴大其生產比例,然而重技術的存儲業者並不會因取得階段性的進展而有些許懈怠。從2019年3月份起,東芝/西部數據、SK海力士、三星等原廠相繼宣布成功研發堆疊高度達100+層3D TLC閃存芯片,推動單顆閃存芯片容量朝著512Gb、1Tb方向發展。

除了在存儲容量上不斷擴展之外,也積極探索存儲密度的提高,三星、英特爾、東芝等國際大廠自去年開始就相繼推出QLC系列產品,其存儲密度是TLC的1.33倍,同時大幅降低了每bit的成本,但是由於TLC和QLC結構的限制,TLC和QLC在性能和壽命上存在一些問題,這就需要通過算法和主控優化彌補這方面的缺陷。例如,TLC產品中,通過主控和算法優化,P/E壽命由不到1000次提升到1000到2000次,同時TLC SSD性能及可靠性方面得到大大改善。

點序科技攜旗下全系列主控解決方案亮相2019中國閃存市場峰會

點序科技將於 2019中國閃存市場峰會首次展出PCIe Gen3x4 SSD主控芯片:AS2263

因此,隨著閃存芯片的發展,主控芯片作為指揮、運算和協調存儲設備的部件,其作用也是愈加重要。點序科技作為主控芯片廠商中的一員,已經深耕主控芯片市場11年,旗下產品覆蓋SSD、eMMC、SD、UFD主控解決方案。

在即將召開的2019中國閃存市場峰會(CFMS2019)中,點序科技會首次展出旗下最新款SSD主控芯片AS2263,支持PCIe Gen3x4,NVMe 1.3規範,順序讀寫速度分別為2500MB/s和1800MB/s,采用四通道設計,以及支持LDPC硬解碼和軟解碼技術,高支持度與高性價比的特點,為客戶帶來更高的產品競爭力。

旗下主控芯片AS2258支持各原廠最新閃存顆粒

另外,點序旗下另一款SSD主控芯片AS2258已可支持美光B27與M16、英特爾N18、 三星V4、海力士 V5與V6,以及東芝/西部數據BiCS4等新世代3D 閃存芯片,且已經獲得SpecTek官方認證。點序提供即時且具穩定性的FW來配合模組廠SSD新品快速上市。

在速度方面,AS2258 擁有接近SATA 6Gbps臨界值的讀寫速度,以及高速4K-IOPS表現。在專業SSD評測軟體AS SSD Benchmark 和Crystal Disk Mark Benchmark 評測下,讀寫速度分別高達550MB/s和500MB/s。

在嵌入式存儲方面,點序科技推出主打的eMMC 5.1主控芯片,型號為AS2726。可支持3D TLC Flash,滿足嵌入式存儲應用的高穩定度需求,廣泛應用於電視盒子、平板、投影儀、智能機器人以及行車記錄儀等消費性電子終端產品。

在SD卡產品線方面,點序在第三季度推出全新主控芯片AS2705EN,搭載新一代的錯誤修正引擎(Advanced ECC Engine),搭配動態全區平均損耗算法技術,同時支持更大區塊的管理與更高的卡片容量(512GB以上),且支持次世代的 3D NAND QLC架構,藉由優化的4KB小檔案管理,其隨機讀寫效能更可達到A2 Class等級的4,000/2,000 IOPS 以上水平,同時也支持低電壓訊號(LVS)、功能命令隊列(Command Queue)等功能,從而提供高效能、高可靠性及長壽命的SD卡主控芯片解決方案。

此外,點序科技表示,將與旗下U盤主控廠商銀燦科技協助客戶將Vccq 3.3V/1.8V & 1.2V各種類Flash規劃於相同PCB板,降低制造商的PCB版本控管難度與庫存壓力。技術方面,支援新世代TLC Flash B27 & QLC Flash N18,協助兩岸存儲客人消化Flash顆粒,且可用率超越其他主控芯片品牌。此外,銀燦科技即將推出新世代主控芯片,支援Advanced ECC Engine,強化糾錯能力,增長Flash壽命。

9月19日CFMS2019匯聚存儲產業鏈精英企業,更多驚喜,敬請期待!

在即將召開的中國閃存市場峰會上,齊聚存儲產業鏈上下遊精英企業,產業領袖將就產業發展發表精彩演講,共同討論產業現狀,未來機遇與挑戰,同時,參展企業也將有眾多新品參展交流。更多詳情,請登錄CFMS2019專題:http://cfms.chinaflashmarket.com/。

點序科技將攜全系列產品線亮相CFMS2019,致力存儲產業發展


隨著5G商用、物聯網、車聯網時代即將來臨,必將伴隨著數據爆發式增長,根據IDC統計,從2012年至今,每年數據總量年成長率均在50%左右,據英特爾預測,全球數據總量在2020年將達到44ZB。海量的數據需求推動存儲設備朝著大容量、高密度、高速度的方向發展。

閃存、主控協調發展,共同推動存儲設備向高容量、高密度、高速度方向發展

自2019下半年以來,全球原廠已經紛紛量產96層3D NAND,並不斷擴大其生產比例,然而重技術的存儲業者並不會因取得階段性的進展而有些許懈怠。從2019年3月份起,東芝/西部數據、SK海力士、三星等原廠相繼宣布成功研發堆疊高度達100+層3D TLC閃存芯片,推動單顆閃存芯片容量朝著512Gb、1Tb方向發展。

除了在存儲容量上不斷擴展之外,也積極探索存儲密度的提高,三星、英特爾、東芝等國際大廠自去年開始就相繼推出QLC系列產品,其存儲密度是TLC的2倍,同時大幅降低了每bit的成本,但是由於TLC和QLC結構的限制,TLC和QLC在性能和壽命上存在一些問題,這就需要通過算法和主控優化彌補這方面的缺陷。例如,TLC產品中,通過主控和算法優化,P/E壽命由不到1000次提升到1000到2000次,同時TLC SSD性能及可靠性方面得到大大改善。

點序科技攜旗下全系列主控解決方案亮相2019中國閃存市場峰會

因此,隨著閃存芯片的發展,主控芯片作為指揮、運算和協調存儲設備的部件,其作用也是愈加重要。點序科技作為主控芯片廠商中的一員,已經深耕主控芯片市場11年,旗下產品覆蓋SSD、eMMC、SD、UFD主控解決方案。

將首次展出PCIe Gen3x4 SSD主控芯片:AS2263

在即將召開的2019中國閃存市場峰會(CFMS2019)中,點序科技會首次展出旗下最新款SSD主控芯片AS2263,支持PCIe Gen3x4,NVMe 1.3規範,超高循序讀寫速度分別為2500MB/s和1800MB/s,采用四通道設計,以及支持LDPC硬解碼和軟解碼技術,高支持度與高性價比的特點,為客戶帶來更高的產品競爭力。

旗下AS2258 SSD主控芯片支持各原廠最新閃存顆粒

另外,點序旗下另一款SSD主控芯片AS2258已經獲得SpecTek官方認證,能夠支持美光96層3D NAND技術、M16、N18、Samsung V4、SK Hynix V5&V6、SanDisk/Toshiba BiCS4等新世代3D NAND Flash。除了支援3D NAND外,也已開始提供即時且具穩定性的FW來配合模組廠SSD新品快速上市。

在速度方面,AS2258 擁有接近SATA 6Gbps臨界值的讀寫速度,以及高速4K-IOPS表現。在專業SSD評測軟體AS SSD Benchmark 和Crystal Disk Mark Benchmark 評測下,讀寫速度分別高達550MB/s和500MB/s。

在嵌入式存儲方面,點序科技推出主打的eMMC 5.1主控芯片,型號為AS2726。可支持3D TLC Flash,滿足嵌入式存儲應用的高穩定度需求,廣泛應用於電視盒子、平板、投影儀、智能機器人以及行車記錄儀等消費性電子終端產品。

在SD卡產品線方面,點序將在第三季度推出全新主控芯片AS2705EN,搭載新一代的錯誤修正引擎(Advanced ECC Engine),搭配動態全區平均損耗算法技術,同時支持更大區塊的管理與更高的卡片容量(512GB以上),且支持次世代的 3D NAND QLC架構,藉由優化的4KB小檔案管理,其隨機讀寫效能更可達到A2 Class等級的4,000/2,000 IOPS 以上水平,同時也支持低電壓訊號(LVS)、功能命令隊列(Command Queue)等功能,從而提供高效能、高可靠性及長壽命的SD卡主控芯片解決方案。

此外,點序科技表示,將與旗下U盤主控廠商銀燦科技協助客戶將Vccq 3.3V/1.8V & 1.2V各種類Flash規劃於相同PCB板,降低制造商的PCB版本控管難度與庫存壓力。技術方面,支援新世代TLC Flash B27 & QLC Flash N18,協助兩岸存儲客人消化Flash顆粒,且可用率超越其他主控芯片品牌。此外,銀燦科技即將推出新世代主控芯片,支援Advanced ECC Engine,強化糾錯能力,增長Flash壽命。

9月19日CFMS2019匯聚存儲產業鏈精英企業,更多驚喜,敬請期待!


在即將召開的中國閃存市場峰會上,齊聚存儲產業鏈上下遊精英企業,產業領袖將就產業發展發表精彩演講,共同討論產業現狀,未來機遇與挑戰,同時,參展企業也將有眾多新品參展交流。更多詳情,長按圖片識別二維碼或點擊左下角“閱讀原文”,進入CFMS2019專題。

2019全球閃存峰會,點序集團與您一同聚焦閃存市場的趨勢應用

2019年杭州全球閃存峰會(Flash Memory World) 自8月22日起盛大展開,二日的精彩論壇包括多場特色主題,聚焦技閃存技術、智能、固態存儲,吸引閃存業界人士前來參與此次杭州盛事。

成軍十一周年的全球知名NAND Flash 控制芯片供貨商—點序集團(以下簡稱:ASolid) 本次受邀參與峰會,以「SSD與閃存市場的趨勢應用」為題的演講,為業界帶來最新的閃存芯片與固態硬盤市場狀況分析。ASolid以多年累計的主控技術實力,締造全球SD 記憶卡裝置控制芯片銷售冠軍的紀錄, 在閃存芯片儲存裝置主控市場占有一席之地, 此次峰會更是獲頒「十大閃存控制器企業」獎項。

點序集團旗下的公司在各自的領域皆有多年技術耕耘,更是少數擁有完整閃存控制芯片的解決方案商之一。ASolid秉持一心,專注於技術,提供四大閃存主控方案,包括SSD、eMMC、UFD以及SD。一站式服務讓客戶放心倚賴ASolid提供對應的解決方案。

閃存內存的崛起從手機、平板、筆記本電腦等消費型裝置,或是DIY玩家的桌面計算機, 到企業型運算產品等等,皆大幅使用閃存芯片。即便因為消費性市場飽和度的原因, 需求數量在接下來幾年不一定會大幅增加,但先進制程的技術,讓存儲容量持續性增加,但價格卻不會依等比例的攀升。

圖1。峰會現場展出點序集團的四大主控芯片與客戶成品。

大容量的固態硬盤主要關鍵在於閃存芯片制程。隨者半導體技術進步,3D NAND的制程良率與產能提升,帶起了大容量高穩定的固態硬盤,其中各家芯片控制商競爭的關鍵在於固態硬盤控制芯片的可靠度以及閃存芯片支持速度。

隨著各大原廠軍備競賽激烈, 從96層到128L層的堆棧層數創新高,每一堆層的厚度變薄、芯片尺寸更小、容量更是大幅提升,成功達到 「Die size變小,Capacity 增加」的目標。ASolid從2008以來積累的控制芯片研發經驗,能及時對應最新制程的閃存芯片,掌握時效性提供解決方案, 滿足廣大固態硬盤消費性市場。
ASolid固態硬盤主控芯片AS2258經過嚴格跨驗,技術團隊不斷地研發與創新,已可支持最新3D TLC閃存芯片,包括64層256Gb/512Gb的三星V4、96層256Gb/512Gb的東芝/西部數據 BiCS4等已量產芯片。

在專業 SSD 評測軟件 AS SSD Benchmark和CrystalDiskMark Benchmark 評測下,均表現出色,讀寫速度分別高達 550MB/s和500MB/s。

圖2。為AS2258 控制芯片搭配三星 256Gb V4閃存芯片。

圖3。為AS2258 控制芯片搭配西部數據 256Gb BiCS4閃存芯片。

除了連續的隨機讀寫速度,4K隨機讀寫對於小型檔案的處理速度, 是作為系統碟相當重要的指針。ASolid提供的東芝/西部數據BiCS4與三星V4解決方案已順利協助客戶進行量產。

在閃存容量劇烈增長的趨勢下,越來越多的使用者看重高效能與大容量的存儲產品。固態硬盤目前主流落在240G以上, 隨著96層與QLC技術的普及帶動容量提升,市場的整體價格必然持續下調。以控制芯片起家的ASolid,在未來數據經濟時代的發展潛力不容小覷,後勢可期。

固態硬盤黑科技:主控內置32MB緩存 點序AS2258評測

不管是機械硬盤還是固態硬盤,用戶都喜歡帶緩存的,而且往往緩存越大速度越好(疊瓦的HDD是不得不做大緩存,除外)。然而緩存帶來的另一個劣勢是成本偏高,其中NVME的固態可以通過HMB(Host Memory Buffer)把電腦的內存劃分一部分出來當緩存用,以實現無緩存也能得到高性能的體驗。

但對於並沒有HMB的協議SATA盤來說就比較糾結了——有沒有辦法在成本和性能之間實現平衡?

今天給大家介紹的就是點序(ASolid)AS2258固態硬盤主控,內置了32MB緩存的黑科技,對比沒有緩存的固態來說,性能的提升非常明顯。

AS2258 SSD SATA 6Gbps主控芯片能完整支持三星\美光\Intel\東芝\閃迪等 NAND Flash (包括 Toggle NAND 和 ONFI NAND)。不論是消費等級或工業等級應用,ASolid AS2258 全系列記憶體模組皆內建 RAM 和 SMART。

AS2258搭載的32位單芯片不只作為外圍內存單元的搜索引擎,在耗損平均、緩沖管理皆有優越的性能表現;其ECC電路的低密度同位檢查碼 (LDPC) 技術可提升數據讀取的可靠性。此外, 點序特殊先進的算法能有效延長內存的生命周期。

AS2258控制芯片的16針腳設計可獨立處理輸入/輸出應用,針腳設定更可作為控制器的內存頻率、記憶體類型和 SATA 速度等設定的預設值。

我愛存儲網拿到的工程測試樣品的顆粒采用了美光的B27B,是一個3D TLC的型號,單顆容量為256GB,兩顆組成512GB,然後做了預留空間(OP),整體為480G,這樣即使在硬盤塞滿時,依然有比較好的性能體能。

下面我們看一下實測性能:

測試平台:CPU,Intel i5 9600K; 主板,華擎Z390極限玩家4;內存, 玖合 DDR4 2666MHz。

1. AS SSD Benchmark

點序AS2258+美光B27B的AS SSD跑分破千,在SATA盤里已經入圍中高性能。4K成績在SATA口的TLC里算很不錯的了。順序讀取速度為505MB/s,順序寫入速度為476MB/s. 這個速度都已經達到SATA3接口中的理論值。

2. CrystalDiskMark

用CDM實測點序AS2258+美光B27B得到最大順序讀取速度為553MB/s,順序寫入速度為517MB/s. CDM的跑分一直比AS SSD好一些,這是給的寫入壓力足夠大。

3. HD TUNE文件基準

用HD TUNE的文件基準,測得SLC緩存大小為30GB,這個容量足夠日常使用了,況且會隨用隨恢覆。

在SLC緩存內,寫入速度一直維持在480MB/s左右,SLC用完後的顆粒速度為100MB/s左右,對TLC來說,這個速度還是不錯的。

整體讀取速度為511MB/s, 也是SATA3接口的理論上限了。

關於點序:
點序科技成立於公元2008年2月,為閃存控制芯片供貨商。經由快速提供前瞻性及競爭力的解決方案,目前已成為控制芯片領導者之一。公司產品應用包含SD/microSD控制芯片、USB控制芯片、eMMC控制芯片以及SSD控制芯片等。
並經由耗損平均(Wear-Leveling)算法、錯誤檢查糾正(ECC)和壞區管理(Bad Block Management)等技術,使客戶的產品可獲得穩定、效能提升的改善。
點序科技以技術與質量見長,其中研發人員占公司總人數80%以上,本公司持續以堅實的團隊陣容,整合技術,經驗與產品競爭力,快速滿足客戶需求,並為彼此制造雙贏局面。

我愛存儲網點評:
1. 點序AS2258內建了32MB的緩存,是性能與成本的一種平衡戰術,能為消費者和客戶帶來更多的價值。
2. 測試用的AS2258+B27B方案,順序速度和4K性能都有優秀的表現。其中SLC緩存為30G的動態分配,對於普通消費級用戶是足夠的,可以一直享受到較好的速度體驗。

正式推出SD USH-I 控制晶片AS2705EN

點序科技發行之SD控制晶片AS2705EN是採用UMC製程,其特色為高效能、低耗電量及支援SD1.01, SD1.10, SD2.02, SD3.01,SD5.1 SD6.0及SD6.1規格。AS2705EN可支援新世代1.2V NAND Flash。 AS2705EN支援單通道快閃記憶體介面並支援各式3D NAND之 TLC與 QLC快閃記憶體。搭載點序自主研發LDPC等級錯誤修正引擎,可以有效的提高壽命兩倍以上。

SSD評測:從芯片分析到高低溫測試,8大項目全面剖析(下)

《SSD評測:從芯片分析到高低溫測試,8大項目全面剖析(上)》介紹了內部拆解、性能測試、協議測試、穩定性測試等測試項目,本篇則主要包括老化測試、高溫數據保存測試、老化後性能測試、功耗測試。

五、SSD老化测试
常溫老化

高溫75度老化

低溫0度老化

0~70度循環老化

數據盤老化測試結果

六、系統盤老化測試

常溫系統盤多分區老化

SSD數據保存測試
Data Retention

高溫存儲85度14H

七、SSD老化後性能測試
Dirty performance

CDM測試

AS SSD測試

HD TUNE測試

ATTO測試

IO METER測試
使用iometer1.3工具對老化後樣品進行測試,使用如下所示八項測試的腳本,每項測試5分鐘,測試結果如下:

八、功耗測試

九、全部測試結果匯總