点序科技为新世代闪存量身定制最新SD6.1工业级宽温SD 控制芯片解决方案AS2707EN-DI：
点序科技 AS2258 SATA SSD主控芯片内建SDRAM，采用双通道设计，经过点序科技 SSD技术团队的研发，连续读写达双500MB/s的高速效能。此外，AS2258搭配先进的 LDPC ECC +RAID功能，让存储设备在高速传输之下，同时能够确保数据的稳定与安全，为客户提供高性能、高可靠度的优质解决方案。
点序科技SSD技术团队不断研发与精进，开发固件以支持原厂最新制程NAND Flash。其中最受市场关注的NAND有Samsung V5 512Gb、SK hynix V6 1Tb以及Micron N28A 1Tb，皆搭配AS2258主控芯片的组合创造超高跑分的优异表现。
AS2258主控芯片拥有接近SATA 6Gbps临界值的读写速度，提供连续读写取速度高达550MB/s、500MB/s，其效能较一般固态硬盘速度更快，效能也更加稳定。
圖1. AS2258 + Samsung V5 512Gb/ SK Hynix V6 1Tb/ Micron N28A 1Tb組合跑分
PCIe SSD主控芯片 即将登场
因应市场主流需求，点序科技即将推出PCIe SSD主控芯片– AS2263。AS2263 支持PCIe Gen3 x4 端口，符合NVMe 1.3规范，支持LDPC纠错技术，容量最高可支持至2TB。AS2263采用四通道设计，连续读写速度高达2500MB/s和1800MB/s。
AS2263即将于市场亮相，期待为客户带来更高性价比的PCIe-SSD解决方案。
点序集团（以下简称：ASolid）因应市场主流需求，于2020年9月推出PCIe SSD控制芯片–AS2263。ASolid AS2263采用PCIe Gen3 x4接口、符合NVMe 1.3规范，采用四通道设计能够达到连续读写2500MB/s、1800MB/s以上的高速效能，优异的速度以及稳定的效能提升，带给消费者绝佳的使用者体验，以提供高效能需求的客户更好的选择。
ASolid AS2263主控芯片支持最新制程3D NAND Flash，容量最高可至2TB。AS2263支持LDPC纠错技术，并配有可靠稳定的RAID磁盘阵列功能，让存储设备在高速传输之下，同时能够确保数据的稳定与安全。研发团队致力于提供良率与稳定兼具的FW，加上工程团队实时的服务，能够满足客户需求，在最快时间内稳定量产。
ASolid将持续专注研发高效能与高支持度的 SSD 控制芯片应用方案，且涵盖各阶层应用市场的布局策略，为客户提供最佳选择。
AS2263的主要功能包括：
紧追3D闪存技术发展，洞悉市场动态，点序集团宣布推出全新U盘主控-IS918M，通过国际Flash原厂3D NAND规格对接测试，支持USB3.2高速连接规范，可向下兼容USB2.0接口，满足应用设计者在短时间内传输大容量数据及文件的需求。
图1. 点序集团提供低格分检工具(One Pass Sorting Tool)
IS918M-GA主控芯片可支持铠侠/东芝(Kioxia/ Toshiba)、西部数据/闪迪 (WD/Sandisk) 、英特尔(Intel)、美光(Micron)、SK 海力士(SK Hynix)、与三星(Samsung)等大厂最新世代的3D闪存。
点序集团提供低格分检工具(One Pass Sorting Tool)，大幅提升IS918M支持的广度，并节省客户分检测试时间，根据闪存的品质一次性区分出适合SSD、USB3.2或USB2.0各种不同应用的容量类别，以提升闪存的使用效率。点序集团低格分检工具已获各大测试厂采用，供客户验证或大量自行低格使用。
点序集团新一代U盘主控IS918-GA导入闪存转换层(Flash Translation Layer)固件演算法，以先进的闪存对应算法与平均擦写存储区块(Wear Leveling)，克服闪存中每个区块读写擦除次数的限制，降低擦除时的耗损，进而延长闪存的使用寿命，更提升使用效率。
圖2.IS918M-GA + Micron B37R 跑分
点序集团通过优化固件演算法，有效利用闪存空间，对于3D TLC、QLC的性能，均有明显提升。
IS918M-GA搭配美光3D TLC闪存B37R，读写速度优于业界水平。CDM测试连续读写速度分别为108.5MB/s及41.65MB/s，4K写入速度更高达1.45MB/s。
点序科技拥有优秀的软件及固件技术，自2008年成立以来，迅速拓展闪存主控芯片市场的世界版图，历经12年淬炼，目前已有多项产品达稳定量产阶段，包含SD、SSD、eMMC及UFD。
2019年底，点序科技推出高效能AS2705EN SD6.1控制芯片，据悉，AS2705EN SD控制芯片搭载新一代的错误修正引擎(AECC)，搭配动态全区平均损耗算法技术(Dynamic wear leveling)，同时支持更大区块管理与更高卡片容量（512GB以上），且支持3D QLC NAND，并通过优化的4KB小档案管理，其随机读写性能可达到A2 Class等级的4,000/2,000 IOPS 以上水平，同时还支持低电压讯号(LVS)、功能命令队列(Command Queue) 等功能，从而提供高效能、高可靠性及长寿命的SD6.1控制芯片解决方案。
除了拥有更精准更高效的纠错技术以外，AS2705EN SD控制芯片还延续了AS2703ENLT系列控制芯片的效能 , 能够满足一般数据U1/U3的读写需求，并支持SDA协会所制订高画质4K影片录制时所需的V30规格，性能爆发，加大满足对智能手机使用所制定的A2规格等不同领域的应用，同时增加了更先进的DDR200 效能应用，传输速度超过160MB/S以上。
点序科技长期与各大NAND Flash厂商紧密合作，AS2705EN SD控制芯片已经可以支持最新96层& 128层 1.2V / 1.8 VCCQ , 2.5V / 3.3 VCC 3D NAND，而国内新兴的长江存储所生产的3D NAND，点序集团的SD卡控制芯片亦可支持，为客户提供全方面的闪存解决方案。
随着半导体技术进步，3D NAND的制程良率与产能提升，带起了大容量高稳定的固态硬盘的发展，其中各家主控芯片的竞争关键在于固态硬盘控制芯片的可靠度以及闪存芯片支持速度。
点序科技自2008年成立以来，专注控制芯片研发，可提供包括SSD、eMMC、UFD以及SD的四大闪存主控方案。旗下的AS2258主控芯片通过技术团队不断地研发与创新，已可支持市场上最新3D TLC闪存芯片。
在专业 SSD 评测软件 AS SSD Benchmark和CrystalDiskMark Benchmark评测下，均表现出色，读写速度分别高达 550MB/s和500MB/s。
图为AS2258 控制芯片搭配三星256Gb V4闪存芯片
图为AS2258 控制芯片搭配西部数据256Gb BiCS4闪存芯片
除了连续的随机读写速度，4K随机读写对于小型档案的处理速度，是作为系统盘相当重要指标。点序科技提供的铠侠/西部数据BiCS4与三星V4解决方案皆已于客户端进行量产出货。
PCIe SSD控制芯片，即将登场
点序科技针对主流市场需求推出的PCIe SSD 控制芯片 AS2263，支持PCIe Gen3x4 NVMe 1.3介面，支持至2TB 容量。超高循序读写速度分别为2500MB/s和1800MB/s，采用四通道设计，以及支持LDPC纠错技术，即将于市场亮相，为客户带来更高的产品竞争力。
在闪存容量剧烈增长的趋势下，越来越多的使用者看重高效能与大容量的存储产品。固态硬盘目前主流落在240G以上， 随着96层与QLC技术的普及带动容量提升，市场的整体价格必然持续下调。
